MLCC是个大坑大佬们应对关税战早有方法 2019-06-01

  的价格也正在稳定,订单开始减少,很多人都认为Q4是“市场寒冬”,并且2019年还会下降。对此,有些分销商表示,电子的需求的确有可能在2019年降温,关税也会继续影响整个电子供应链。不过

  “半导体存储器ASP销量将会下降,销售额也将下降。美国经济可能正面临低迷。“ 美国大型电子元器件分销商SeMIco的高层Morry Marshall说道。美国供应管理协会的制造业指数十月份降到了57.7%,是今年六个月以来的最低点。通常来说高于50的数字都表明该行业是正收益,但新订单,生产和出口数据都在10月份开始降温。那么,巨头们怎么说?

  原始元件制造商(OCM)和电子产品经销商几乎都表示没有:“我们没有看到市场疲软的迹象。”最近在ECIA执行会议期间,对于原厂和分销商的特别执行访谈大都是一致的:电子元器件仍然需求量很大。虽然交货时间目前变得比较稳定,但总体时间并没有收缩,而且很多都持续超过30周。需求最高的一些零件的生产能力仍然很慢(例如MLCC),而且没有证据表明客户需求下降。这些都在分销商ArrowElectronics Inc.(艾睿电子)和Avnet Inc(安富利)的季度分析师电话会议上得到了证实。

  全球分销商通常拥有数百家零部件供应商,并覆盖数百万客户。安富利的订单出货比率一直在1-1.04之间保持正值。“我们对整体需求感到非常满意,”安富利全球电子元件总裁Phil Gallagher在ECIA会议期间表示。“5G时代即将到来,汽车自动驾驶也在发展,政府会继续扩大国防和航空航天领域,因此我们的机会很多。”

  然而,有迹象表明,元器件的短缺开始影响到原厂了。ISM(美国供应管理协会)的计算机和电子产品主管透露,今年10月份“所有电子元件都存在短缺和更长的交货时间,影响我们的生产。”因此,制造商们看到了提高价格的机会,而许多OEM也非常注重持续供应。

  据透露,一个Kemet(kemet:基美公司,是全球知名的电容器生产商)公司的客户甚至用每年3600万美元的合同来“购买产能”。“我们现在与客户订立了一份长期合同,保证了他们目前从我们这里购买额外的产能,”Kemet的首席执行官Per Loof在Kemet 2019财年第二季度分析师电话会议上表示。“这个特殊的客户每年需求为60亿件,通过这份协议,Kemet将在未来10年内每年再提供60亿件产品给此客户。”

  说到这里,不得不提半导体的原厂巨头。德州仪器(ti)和Maxim Integrated(美信半导体,全球领先的半导体制造供应商)表示,他们的产品需求在9月份有所减弱。IC Insights 曾预测,半导体市场增长将从2018年第一季度的23%下降至2018年第四季度的6%。第三季度IC市场同比增长率降至14%。

  “调查公司AlphaWise对分销商的季度调查显示,Q2通常都是旺季,” 摩根士丹利表示。“Q3表现虽然同样强劲,但在变化率基础上有一定程度的降温。我们对半导体仍然保持谨慎态度,并预计任何交易都可能在未来几个月内下调。“

  但是,互连、被动元件和机电(IP&E)组件(这些几乎占了典型电路板的80%) 仍然供不应求。IP&E供应商仍在努力缩短交付周期,但Kemet预计MLCC的供应未来两年都无法满足市场需求。Loof告诉分析师,“想要填补MLCC这个大坑,全行业起码需要超过30亿美元的投资,并且要保证这两年市场上没有任何额外的需求增长,这太难了。”

  但分销商有不同的声音,认为2018年末MLCC虽然缺货,但却面临降价:“我们的库存太多了,”艾睿电子的首席执行官迈克朗告诉分析师。“正如我们预料的那样,被动元件的销售增长率已经连续第二个季度放缓了。大部分客户不傻,他们只在需要的时候才购买被动元件(否则就先做其它产品),并不是所有客户都愿意下长时间供应的订单。“

  关税战是美国避不开的话题,不过这对美国的制造商和经销商都没有太大的影响。事实上,ECIA的一位OCM高管表示,关税反而对中国的负面影响很大,他认为中国的经济正在恶化,许多工人都失业了,而且爆发了很多新闻媒体报道(暗指福建晋华和美光撤厂事件),10月份中国的制造业很受挫。(虽然这位高管的想法带有美国人的主观性,但对于半导体行业来说,关税战的确是中国更吃亏。)

  美国对中国施加的政策正在发挥作用。虽然许多美国制造商在中国设施和设备方面都有投资,但美国的原厂和分销商都不太可能因关税而出现什么问题。

  电子供应链在对关税的反应方面一直很敏锐。供应商会在不受关税影响的地区增加产量,拥有多个全球仓库的经销商往往也拥有灵活的运输手段。

  安富利首席执行官威廉阿梅里奥告诉分析师,对于亚太地区,安富利尽可能直接从香港发货。而美洲地区,安富利在创纪录的时间内快速建立了一个瓜达拉哈拉仓库,“我们在那里汇集货物,再转发给美国、加拿大、墨西哥和其余拉丁美洲和南美洲的客户。现在我们的货运核心位置就是香港和瓜达拉哈拉。“

  安富利还建立了自由贸易区,并与供应商合作来降低进口税。“如果我们让供应商来承担进口税,”阿梅里奥解释说,“那么我们的客户被征收的关税就会降低。”

  艾睿电子的首席执行官Long告诉分析师,关税虽然在增加,但需求并没有改变。“我们一直在帮助客户和供应商减轻他们的业务负担。根据他们的要求,我们正在帮助那些正在转移生产地点和重新安排供应链的客户。我们一直利用我们的信息优势帮助供应商管理受资费影响的客户。“

  “我现在会告诉你,这些关税并没有对我们的业务造成太大影响,因为大多数人都早有应对,”Long补充道。“但我们认为关税是一件坏事,我们也很反对世界上任何一个政府增加关税。全球的制造商、分销商都不希望看到这种事情(指关税战)。不幸的是,这种事情以后会越来越多。“

  艾睿电子的第三季度销售额同比增长9%至74.8亿美元,净收入增长32%至1.77亿美元。安富利的销售额同比增长9.2%至50.9亿美元,净收入从5800万美元增长至8400万美元。

  “电子元器件行业的状态会保持健康的,”Long总结道。“明年的市场我依旧看好。”

  文章出处:【微信号:mantianIC,微信公众号:满天芯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  【9节课帮你快速解决电源设计难点】第1期:站在高处,重新理解电源设计难点

  【9节课帮你快速解决电源设计难点】第1期:站在高处,重新理解电源设计难点

  本文档的主要内容详细介绍的是51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解。

  在51系列单片机中,与外部存储器RAM 打交道的只能是A 累加器。所有需要传送入外部RAM 的数据必....

  上两次我们做过两个实验,都是让P1.0 这个管脚使灯亮,我们能设想:既然P1.0 能让灯亮,那么其它....

  我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,通电后,单片机就可以执行这条指令,那么....

  金相切片,又名切片,是用特制液态树脂将样品包裹固封,然后进行研磨抛光的一种制样方法,检测流程包括取样....

  电路板经过回流焊时大多容易发生板弯板翘,严重的话甚至会造成元件空焊、立碑等情况,应如何克服呢?

  LTC3718的典型应用是用于DDR和QDR存储器终端的高电流,高效率同步开关稳压控制器...

  STM32F105xx和STM32F107xx系列微控制器的数据手册免费下载

  STM32F105xx和STM32F107xx互联型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 ....

  EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。 这些接口各自具有技术特点。 请选择符合客户需求的接口。 【...

  据国际电子商情,还记得2017-2018年间被动元器件的涨价潮吗?最开始是MLCC涨价,2018年年....

  科技公司Kathrein Solutions和Tonnjes合作利用Kathrein的读写器和软件平....

  摘要:目前,基于ARM和FPGA架构的嵌入式系统在通信设备中得到广泛的应用。文章提出了一种基于ARM和FPGA的环形缓冲...

  经常发现一个问题,有人说蓝牙4.0是低功耗的,为什么功耗还是和蓝牙3.0相比没有多大改善...

  据介绍,尽管有一些周期性和季节性影响,但是独立存储器市场在过去十年中经历了非凡的增长。这是由重要的行....

  三星电机正专注于MLCC,以填补其利润丰厚的面板级封装(PLP)业务计划转让给三星电子后留下的真空。

  请问各位表面丝印为AJDJ795 QFN封装8P得芯片,是什么芯片?具体型号是?求知道的大神告诉,小弟不胜感激...

  请问各位表面丝印为AJDJ795 QFN封装8P得芯片,是什么芯片?具体型号是?求知道的大神告诉,小弟不胜感激?...

  顺络电子发布公告称,公司昨日召开的第五届董事会第二十次会议审议通过了《关于设立日本子公司的议案》。

  你好, 我试图使用flash PROM xcf04s在主串行模式下配置我的fpga xc3s500e。 我使用Xilinx 12.1 for Linux生成.bit和.mc...

  日本电产2019年计划投资约人民币114亿元,其中约42%用于车载,约35%用于家电、商业、工业用品....

  1.测试过程中发现有2个ID出现卡堵,工程师试着将驱动器拆开,将驱动芯片(DRV8837DSGR)的输入信号及输出信号引线出来,...

  智能手机市场的发展前景充满了不确定性,所以对车载这一新的增长领域的投资日益增多。

  三星电机计划于6月12日在釜山工业园区的MLCC工厂举办一场MLCC简报会。釜山工厂为车用MLCC配....

  全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示,2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元,同比增长13....

  本文档的主要内容详细介绍的是一些常用的电子元器件资料合集免费下载包括了:74系列芯片总汇,光敏和热敏....

  这种单2输入正极和栅极设计用于1.65-V至5.5-V VCC操作。该CMOS器件具有高输出驱动,同....

  电子发烧友报道,5月28日,深圳华强公告称,正在筹划 以发行股份并结合发行定向可转债或支付现金等方式....

  本文档的主要内容详细介绍的是单片机的基础知识详细资料概述包括了:1 单片机简介,2 单片机的发展历....

  内存又称为内存储器,通常也泛称为主存储器,是计算机中的主要部件,它是相对于外存而言的。

  本文基于自动驾驶应用场景分别从E/E架构、通讯方式、软件架构和流程标准等方面谈下与当前模式相比可能加....

  把内存固定地划分为若干个大小不等的分区供各个程序使用,每个分区的大小和位置都固定,系统运行期间不再重....

  1.DSP的C语言同主机C语言的主要区别? 1)DSP的C语言是标准的ANSI C,它不包括同外设....

  我在华为的时候,有一段时间在中软研究院工作。其中有几个部门,是专们做备胎的,比如尽管华为在用谷歌的安....

  连接器又叫接插件是现代生活中离不开的一个小小的电子元器件,广泛应用于生活的各个角落,手机、电脑、冰箱....

  总体来说,中国军用电子元器件国产化率比较高,但还有20%左右需要进口,其中大部分通过特殊渠道是比较容....

  本参考手册面向应用开发人员,提供有关使用 STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/....

  美国商务部决定对华为的出口禁令提供90天的“临时有限豁免”,以减轻对华为现有客户的影响。一心扼杀华为....

  随着国际间贸易摩擦不断加大,半导体行业亏损周期延长, 日系半导体厂商的日子越来越不好过,东芝存储器自....

  无线收发模块采用ASK方式调制,以降低功耗,当数据信号停止时发射电流降为零,数据信号与发射模块输入端....

  LPC2131和LPC2132及LPC2138的数据手册和使用指南资料免费下载

  本文档的主要内容详细介绍的是电子元器件电路图符号的详细资料合集免费下载。

  元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

  上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加....

  从电路板上拆卸的过程是:第一步,左手拿“吸锡器”,把活塞向下压至卡住,对准焊锡点;右手拿“电烙铁”,....

  不论是DRAM或NAND Flash 持续提升性能与降低成本都将更加困难

  不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要....

  本视频主要详细介绍了电子元器件失效分析方法,分别是拔出插入法、感官辨别法、电源拉偏法、换上备件法。

  本视频主要详细介绍了电子元器件如何避免虚焊,分别是保证金属表面清洁、掌握温度、上锡适量、选用合适的助....

  焊接前,应对元器件端子或电路板的焊接部位进行焊接处理,一般有“刮”、“镀”、“测”三个步骤。

  本文档的主要内容详细介绍的是单片机的硬件结构详细资料说明包括了:1.逻辑结构及信号引脚,2.并行输入....

  《高速电路设计实践》从设计实践角度出发,介绍了在从事高速电路设计的工作中需要掌握的各项技术及技能,并....

  用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路,或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑....

  防静电工作台顾名思义就是具有防静电功能的工作台。人们在干燥的环境中作业时,干燥的空气与绝缘体表面磨擦....

  因为静电通常瞬间电压非常高(

  几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁。所以预防....

  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...

  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

      和记娱乐,和记娱乐官网

Copyright © 2014 青岛和记娱乐实业集团有限公司 All Rights Reserved
豫ICP备12007421号
地址:山东省青岛市城阳区长城南路6号首创空港国际中心8号楼
全国统一客服热线:400-708-5577
网站地图